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1N60_11 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 1N60_11
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内容描述: 1.2A , 600V N沟道功率MOSFET [1.2A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 6 页 / 277 K
品牌: UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]
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UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
1N60
1.2A , 600V N沟道
功率MOSFET
1
1
TO-92
功率MOSFET
描述
在UTC
1N60
是一个高电压MOSFET ,并设计成
有更好的特性,如快速开关时间,低门
电荷,低通态电阻,并具有高耐用
雪崩特性。这种功率MOSFET通常用在
高速开关电源中的应用, PWM马达
控制,高效率的直流 - 直流转换器和电桥电路。
1
SOT-223
1
TO-220
TO-220F
特点
* V
DS
= 600V
* I
D
= 1.2A
* R
DS ( ON)
=11.5Ω@V
GS
= 10V.
*超低栅极电荷(典型值5.0nC )
*低反向传输电容(C
RSS
=典型3.0 pF的)
*快速开关能力
*较高的雪崩能量
*改进dv / dt能力,高耐用性
1
TO-251
1
TO-252
1
TO-126
符号
订购信息
订购数量
无铅
无卤
1N60L-AA3-R
1N60G-AA3-R
SOT-223
1N60L-T92-B
1N60G-T92-B
TO-92
1N60L-T92-K
1N60G-T92-K
TO-92
1N60L-TA3-T
1N60G-TA3-T
TO-220
1N60L-TF3-T
1N60G-TF3-T
TO-220F
1N60L-TM3-T
1N60G-TM3-T
TO-251
1N60L-TN3-R
1N60G-TN3-R
TO-252
1N60L-TN3-T
1N60G-TN3-T
TO-252
1N60L-T60-K
1N60G-T60-K
TO-126
注:引脚分配: G:门D:漏极S:源
引脚分配
1
2
3
G
D
S
G
D
S
G
D
S
G
D
S
G
D
S
G
D
S
G
D
S
G
D
S
G
D
S
填料
带盘
磁带盒
体积
带盘
体积
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©2011 Unisonic技术有限公司
1 6
QW-R502-052.J