1N60A
绝对最大额定值
(
T
C
= 25℃ ，除非另有说明）。
参数
符号
评级
600
650
±30
0.5
2
50
功率MOSFET
单位
1N60A-A
V
漏源电压
V
DSS
1N60A-B
V
栅源电压
V
GSS
V
连续漏电流
I
D
A
漏电流脉冲（注2 ）
I
DM
A
单脉冲（注3 ）
E
AS
mJ
雪崩能量
重复的（注2）
E
AR
3.6
4.0
mJ
峰值二极管恢复的dv / dt （注4 ）
dv / dt的
4.5
V / ns的
功率耗散（T
C
=25°C)
3
W
P
D
减免上述25℃
25
毫瓦/°C的
结温
T
J
+150
°C
工作温度
T
OPR
-55 ~ +150
°C
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
°C
注： 1。绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
2.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温
3. L = 92mH ，我
AS
= 0.8A ，V
DD
= 50V ，R
G
= 0Ω ，起始物为
J
=25°C
4. I
SD
≤1.0A,
DI / dt≤100A / μs的，V
DD
ΔBV
DSS
，起始物为
J
=25°C
热数据
参数
结到环境
符号
θ
JA
民
典型值
最大
120
单位
° C / W
电气特性
(T
J
= 25C ，除非另有说明）。
参数
开关特性
漏源击穿电压
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
1N60A-A
1N60A-B
符号
BV
DSS
I
DSS
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250μA
最小典型最大单位
600
650
10
100
-100
0.4
2.0
11
4.2
15
100
20
3
12
11
40
18
8
1.8
4.0
34
32
90
46
10
V
V
μA
nA
nA
V /°C的
V
Ω
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
击穿电压温度
系数
基本特征
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关特性
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
= 600V, V
GS
= 0V
前锋
V
GS
= 20V, V
DS
= 0V
I
GSS
反向
V
GS
= -20V, V
DS
= 0V
I
D
= 250μA
ΔBV
DSS
/
△
T
J
参考25 ℃下
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
R
t
D（关闭）
t
F
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
GS
= 10V ，我
D
= 0.5A
V
DS
=25V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
V
DD
= 300V ，我
D
= 0.5A ，R
G
=5Ω
（注1,2 ）
V
DS
=480V, V
GS
= 10V ，我
D
=0.8A
（注1,2 ）
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2第8
QW-R502-091,E
UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]
