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    1N60AL-x-T92-B 参数 Datasheet PDF下载

    1N60AL-x-T92-B图片预览
    型号： 1N60AL-x-T92-B
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 0.5安培， 600/650伏特N沟道MOSFET [0.5 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 8 页 / 224 K
    品牌： UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]
     浏览型号1N60AL-x-T92-B的Datasheet PDF文件第2页浏览型号1N60AL-x-T92-B的Datasheet PDF文件第3页浏览型号1N60AL-x-T92-B的Datasheet PDF文件第4页浏览型号1N60AL-x-T92-B的Datasheet PDF文件第5页浏览型号1N60AL-x-T92-B的Datasheet PDF文件第6页浏览型号1N60AL-x-T92-B的Datasheet PDF文件第7页浏览型号1N60AL-x-T92-B的Datasheet PDF文件第8页  
    UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
    1N60A
    0.5安培， 600/650伏特
    N沟道MOSFET
    描述
    在UTC
    1N60A
    是一个高电压MOSFET ，并设计成
    有更好的特性，如快速开关时间，低门
    电荷，低通态电阻，并具有高耐用雪崩
    的特点。这个功率MOSFET通常用在高速
    开关电源中的应用， PWM马达控制，高
    高效率的DC -DC转换器和电桥电路。
    功率MOSFET
    特点
    * R
    DS （ ON）
    =15Ω@V
    GS
    = 10V.
    *超低栅极电荷（典型值8.0nC ）
    *低反向传输电容（C
    RSS
    = 3.0 pF的（最大） ）
    *快速开关能力
    *较高的雪崩能量
    *改进dv / dt能力，高耐用性
    符号
    2.Drain
    1.Gate
    3.Source
    订购信息
    订购数量
    无铅
    无卤
    1N60AL-x-T92-B
    1N60AG-x-T92-B
    1N60AL-x-T92-K
    1N60AG-x-T92-K
    注：引脚分配： G：门D：漏极S：源
    包
    TO-92
    TO-92
    引脚分配
    1
    2
    3
    G
    D
    S
    G
    D
    S
    填料
    磁带盒
    体积
    www.unisonic.com.tw
    ©2009 Unisonic技术有限公司
    1第8
    QW-R502-091,E

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