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18N50G-TQ2-T 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 18N50G-TQ2-T
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内容描述: 18A , 500V N沟道功率MOSFET [18A, 500V N-CHANNEL POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 6 页 / 204 K
品牌: UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]
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18N50
典型特征
300
漏电流,我
D
(µA)
250
200
150
100
50
0
漏电流,我
D
(µA)
漏极电流与漏源
击穿电压
功率MOSFET
漏极电流与栅极阈值电压
300
250
200
150
100
50
0
0
0
100 200 300 400 500 600
漏源击穿电压BV
DSS
(V)
1
3
2
栅极阈值电压,V
TH
(V)
4
漏电流,我
D
(A)
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UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
www.unisonic.com.tw
漏电流,我
D
(A)
6 6
QW-R502-477.G