18N50
电气特性
(T
C
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
符号
测试条件
开关特性
漏源击穿电压
BV
DSS
V
GS
= 0V时，我
D
=250µA
击穿电压温度系数
ΔBV
DSS
/ΔT
J
I
D
= 250μA ，引用至25℃
V
DS
=500V, V
GS
=0V
漏极 - 源极漏电流
I
DSS
V
DS
= 400V ，T
C
=125°C
前锋
V
GS
= 30 V, V
DS
= 0 V
栅极 - 源极漏电流
I
GSS
反向
V
GS
= -30 V, V
DS
= 0 V
基本特征
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
V
DS
=V
GS
, I
D
=250µA
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
V
GS
= 10V ，我
D
=9A
正向跨导
g
FS
V
DS
= 40V ，我
D
= 9A （注1 ）
动力参数
输入电容
C
国际空间站
输出电容
C
OSS
V
DS
=25V,V
GS
=0V,f=1.0MHz
反向传输电容
C
RSS
切换参数
总栅极电荷
Q
G
V
DS
=400V, V
GS
= 10V ，我
D
=18A
栅极 - 源电荷
Q
GS
（注1,2 ）
栅极 - 漏极电荷
Q
GD
导通延迟时间
t
D（上）
开启上升时间
t
R
V
DD
= 250V ，我
D
=18A,
R
G
= 25Ω （注1,2 ）
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
关断下降时间
t
F
源 - 漏二极管额定值和特性
最大体二极管连续电流
I
S
最大体二极管脉冲电流
I
SM
漏源二极管的正向电压
V
SD
I
S
= 18A ，V
GS
=0V
体二极管反向恢复时间
t
rr
V
GS
= 0V时，我
S
=18A,
dI
F
/ DT = 100A / μs的（注1 ）
体二极管反向恢复电荷
Q
RR
注： 1。脉冲测试：脉冲width≤300μs ，职务cycle≤2 ％
2.基本上是独立工作温度
功率MOSFET
民
500
典型最大单位
V
V /°C的
µA
µA
nA
V
Ω
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
A
A
V
ns
μC
0.5
1
10
100
-100
2.0
4.0
0.24 0.32
25
2200 2860
330 430
25
40
45
12.5
19
55
165
95
90
60
120
340
200
190
18
72
1.4
500
5.4
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3 6
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