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12N60L-TA3-T 参数 Datasheet PDF下载

12N60L-TA3-T图片预览
型号: 12N60L-TA3-T
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内容描述: 12A , 600V N沟道功率MOSFET [12A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 7 页 / 366 K
品牌: UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]
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12N60
电气特性(续)
参数
符号
测试条件
开关特性
导通延迟时间
t
D(上)
开启上升时间
t
R
V
DD
= 300V ,我
D
= 12A,
R
G
= 25Ω (注1,2)
打开-O FF延迟时间
t
D(关闭)
关断下降时间
t
F
总栅极电荷
Q
G
V
DS
= 480V ,我
D
= 12A,
栅极 - 源电荷
Q
GS
V
GS
= 10V (注1,2)
栅极 - 漏极电荷
Q
GD
源 - 漏二极管额定值和特性
漏源二极管的正向电压
V
SD
V
GS
= 0 V,I
S
= 12A
最大连续漏源二极管
I
S
正向电流
最大脉冲漏源极二极管
I
SM
正向电流
反向恢复时间
t
rr
V
GS
= 0 V,I
S
= 12A,
dI
F
/ DT = 100 A / μs的(注1 )
反向恢复电荷
Q
RR
注:1.脉冲测试:脉冲宽度
≤300μs,
占空比
2%
2.基本上是独立的工作温度。
功率MOSFET
最小典型最大单位
30
115
95
85
42
8.6
21
70
240
200
180
54
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
A
A
ns
µC
1.4
12
48
380
3.5
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
www.unisonic.com.tw
3 7
QW-R502-170.I