UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
12N60
12A , 600V N沟道
功率MOSFET
描述
在UTC
12N60
是N沟道增强型功率
场效应晶体管( MOSFET),它使用的是产生的UTC的
专有的,平面条形, DMOS技术。
这些器件适用于高效率开关模式
电源。为了最大限度地减少通态电阻,提供出色的
开关性能,并能承受高能量脉冲
雪崩和减刑模式,先进的技术有
而特别定制的。
1
TO-220F
功率MOSFET
1
TO-220
1
TO-220F1
特点
* R
DS ( ON)
= 0.8Ω @V
GS
= 10 V
*超低栅极电荷(典型的42 NC)
*低反向传输电容(C
RSS
=典型25 pF的)
*快速开关能力
*较高的雪崩能量
*改进dv / dt能力,高耐用性
1
TO-262
符号
2.Drain
1.Gate
3.Source
订购信息
订购数量
包
无铅
无卤
12N60L-TA3-T
12N60G-TA3-T
TO-220
12N60L-TF1-T
12N60G-TF1-T
TO-220F1
12N60L-TF3-T
12N60G-TF3-T
TO-220F
12N60L-T2Q-T
12N60G-T2Q-T
TO-262
注:引脚分配: G:门
D:漏
S:源
引脚分配
1
2
3
G
D
S
G
D
S
G
D
S
G
D
S
填料
管
管
管
管
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QW-R502-170.I