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型号: 12N50
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内容描述: 12A , 500V N沟道功率MOSFET [12A, 500V N-CHANNEL POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 6 页 / 162 K
品牌: UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]
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12N50
初步
功率MOSFET
电气特性
(T
C
= 25 ℃,除非另有规定)
参数
符号
测试条件
开关特性
漏源击穿电压
BV
DSS
I
D
= 250μA ,V
GS
=0V
漏极 - 源极漏电流
I
DSS
V
DS
=500V, V
GS
=0V
前锋
V
GS
=+30V, V
DS
=0V
栅源漏电流
I
GSS
反向
V
GS
=-30V, V
DS
=0V
基本特征
栅极阈值电压
V
GS ( TH)
V
DS
=V
GS
, I
D
=250µA
静态漏源导通电阻
R
DS ( ON)
V
GS
= 10V ,我
D
=6A
动力参数
输入电容
C
国际空间站
V
GS
=0V, V
DS
= 25V , F = 1.0MHz的
输出电容
C
OSS
反向传输电容
C
RSS
切换参数
总栅极电荷
Q
G
V
GS
=10V, V
DS
= 400V ,我
D
=12A
门源费
Q
GS
(注1,2)
栅漏电荷
Q
GD
导通延迟时间
t
D(上)
上升时间
t
R
V
DD
= 250V ,我
D
= 12A ,R
G
=25Ω
(注1,2)
打开-O FF延迟时间
t
D(关闭)
下降时间
t
F
源 - 漏二极管额定值和特性
最大体二极管连续电流
I
S
最大体二极管脉冲电流
I
SM
漏源二极管的正向电压
V
SD
I
S
= 12A ,V
GS
=0V
体二极管反向恢复时间
t
rr
I
S
= 12A ,V
GS
= 0V ,二
F
/dt=100A/µs
(注1 )
体二极管反向恢复电荷
Q
RR
注: 1.脉冲测试:脉冲宽度
300μS ,占空比
2%
2.基本上是独立工作温度
最小典型最大单位
500
V
10
µA
100 nA的
-100 nA的
4.0
0.42 0.54
1450 1930
198 265
14.5 22
30
8
12
28
54
75
47
39
V
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
A
A
V
ns
µC
2.0
65
120
160
105
12
48
1.5
154
0.45
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
www.unisonic.com.tw
3 6
QW-R502-528.c