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型号: 12N50
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内容描述: 12A , 500V N沟道功率MOSFET [12A, 500V N-CHANNEL POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 6 页 / 162 K
品牌: UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]
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12N50
初步
功率MOSFET
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ℃,除非另有规定)
参数
符号
评级
单位
漏源电压
V
DSS
500
V
栅源电压
V
GSS
±30
V
I
D
12 (注2 )
A
连续(T
C
=25°C)
漏电流
脉冲(注3)
I
DM
48 (注2)
A
雪崩电流(注3)
I
AR
12
A
684
mJ
单脉冲(注4 )
E
AS
雪崩能量
重复(注5 )
E
AR
19.5
mJ
峰值二极管恢复的dv / dt (注5 )
dv / dt的
4.5
V / ns的
192
的TO-220 / TO-263
功耗
W
(T
C
=25°C)
TO-220F1
42
P
D
的TO-220 / TO-263
1.53
减免上述25℃
W / ℃,
TO-220F1
0.33
结温
T
J
+150
°C
储存温度
T
英镑
-55~+150
°C
注: 1。绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
2.漏电流受最高结温
3.重复额定值:脉冲宽度有限的最高结温
4, L = 9.5mH ,我
AS
= 12A ,V
DD
= 50V ,R
G
= 25Ω ,起始物为
J
= 25°C
5. I
SD
如图12A所示, di / dt的
200A / μs的,V
DD
BV
DSS
,起始物为
J
= 25°C
热数据
参数
结到环境
的TO-220 / TO-263
结到外壳
TO-220F1
符号
θ
JA
θ
JC
评级
62.5
0.65
3.0
单位
° C / W
° C / W
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
www.unisonic.com.tw
2 6
QW-R502-528.c