10N90_12 参数 Datasheet PDF下载

型号：	10N90_12
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内容描述：	10A ， 900V N沟道功率MOSFET [10A, 900V N-CHANNEL POWER MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	6 页 / 198 K
品牌：	UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]

10N90

电气特性（续）

功率MOSFET

参数

符号

测试条件

最小值典型值

切换参数

127

总栅极电荷

=10V, V

= 720V ，我

=10A

门源费

19.2

（注1,2）

栅漏电荷

56.8

导通延迟时间

D（上）

上升时间

= 450V ，我

= 10A ，R

=9.6Ω

（注1,2）

打开-O FF延迟时间

D（关闭）

161

下降时间

源 - 漏二极管额定值和特性

最大体二极管连续电流

积分反向PN二极管中

最大体二极管脉冲电流

该MOSFET

(Note1)

漏源二极管的正向电压

= 10A ，V

= 0V ，T

=25°C

（注1 ）

690

体二极管反向恢复时间

= 10A ，二

/dt=100A/µs,

= 25 ° C（注1 ）

体二极管反向恢复电荷

11.94

注： 1.脉冲测试：脉冲宽度

≤

为250μs ，占空比

≤

2.基本上是独立工作温度

最大单位

165

µC

330

105

1.4

UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。， LTD。

www.unisonic.com.tw

3 6

QW-R502-502.E

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