10N90_12 参数 Datasheet PDF下载

型号：	10N90_12
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内容描述：	10A ， 900V N沟道功率MOSFET [10A, 900V N-CHANNEL POWER MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	6 页 / 198 K
品牌：	UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]

UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。， LTD。

10N90

10A ， 900V N沟道

功率MOSFET

描述

该UTC10N90是使用N沟道型功率MOSFET的

UTC先进的技术，提供的costumers与平面条形

和DMOS技术。该技术允许的最小导通状态

电阻和出色的开关性能。它也能承受

在高能量脉冲雪崩和减刑模式。

在UTC

10N90

一般适用于高效率开关

模式电源。

TO-247

功率MOSFET

特点

* R

DS （ ON）

=1.35Ω@V

=10V

*低漏电流： 25μA （最大值） @ V

= 900V

*改进的栅极电荷

符号

2.Drain

1.Gate

3.Source

订购信息

订购数量

无铅

无卤

10N90L-T47-T

10N90G-T47-T

注：引脚分配： G：门

D：漏

S：源

包

TO-247

引脚分配

填料

管

www.unisonic.com.tw

1 6

QW-R502-502.E

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