10N80G-TF1-T 参数 Datasheet PDF下载

型号：	10N80G-TF1-T
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内容描述：	10A ， 800V N沟道功率MOSFET [10A, 800V N-CHANNEL POWER MOSFET]
分类和应用：	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小：	6 页 / 194 K
品牌：	UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]

10N80

电气特性

= 25° С ，除非另有规定）

参数

开关特性

漏源击穿电压

符号

DSS

测试条件

功率MOSFET

最小典型最大单位

800

100

±100

980

3.0

0.9

5.0

1.1

µA

V/°С

Ω

= 0 V，I

=250 µA

=800V, V

=0 V

漏极 - 源极漏电流

DSS

= 640V ，T

=125°C

门体漏电流

GSS

=0 V, V

= ±30 V

击穿电压温度系数

ΔBV

DSS

/ΔT

= 250μA ，引用至25℃

基本特征

栅极阈值电压

GS （ TH）

, I

=250µA

静态漏源导通电阻

DS （ ON）

= 10V ，我

= 5.0A

动力参数

输入电容

国际空间站

=25V, V

=0V,

输出电容

OSS

f=1MHz

反向传输电容

RSS

切换参数

导通延迟时间

D（上）

开启上升时间

= 400V ，我

=10.0A,

= 25Ω （注1,2 ）

打开-O FF延迟时间

D（关闭）

关断下降时间

总栅极电荷

=640V, V

=10V,

门源电荷

= 10.0A （注1,2 ）

闸漏极电荷

源 - 漏二极管额定值和特性

漏源二极管的正向电压

= 10.0 A，V

=0V

最大连续漏源二极管

正向电流

最大脉冲漏源极二极管

正向电流

反向恢复时间

= 0V ，二

/ DT = 100 A / μs的，

= 10.0A （注1 ）

反向恢复电荷

注：1.脉冲测试：脉冲宽度

≤

300μS ，占空比

≤

2%.

2，独立工作温度。

2150 2800

180 230

130

13.5

110

270

190

170

1.4

10.0

40.0

730

10.9

UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。， LTD。

www.unisonic.com.tw

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QW-R502-218.F

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