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10N80G-TF1-T 参数 Datasheet PDF下载

10N80G-TF1-T图片预览
型号: 10N80G-TF1-T
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内容描述: 10A , 800V N沟道功率MOSFET [10A, 800V N-CHANNEL POWER MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小: 6 页 / 194 K
品牌: UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]
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UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
10N80
10A , 800V N沟道
功率MOSFET
描述
在UTC
10N80
UTC采用先进的专有的,平面的
条纹, DMOS技术,提供优秀的研发
DS ( ON)
,低门
充电和操作具有低栅极电压。该装置是
适合用作负载开关或PWM应用。
功率MOSFET
特点
* R
DS ( ON)
= 1.1Ω @V
GS
= 10 V
*超低栅极电荷(典型值45nC )
*低反向传输电容(C
RSS
= 15pF的典型)
*快速开关能力
*较高的雪崩能量
*改进dv / dt能力,高耐用性
符号
2.Drain
1.Gate
3.Source
订购信息
订购数量
无铅
无卤
10N80L-T3P-T
10N80G-T3P-T
10N80L-TF1-T
10N80G-TF1-T
10N80L-TF2-T
10N80G-TF2-T
TO-3P
TO-220F1
TO-220F2
引脚分配
1
2
3
G
D
S
G
D
S
G
D
S
填料
www.unisonic.com.tw
版权所有© 2012 Unisonic技术有限公司
1 6
QW-R502-218.F