10N60
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ° C除非另有规定编）
功率MOSFET
参数
符号
评级
单位
漏源电压
V
DSS
600
V
栅源电压
V
GSS
± 30
V
雪崩电流（注2）
I
AR
10
A
10
A
连续
I
D
漏电流
脉冲（注2）
I
DM
38
A
700
mJ
单脉冲（注3 ）
E
AS
雪崩能量
重复的（注2）
E
AR
15.6
mJ
峰值二极管恢复的dv / dt （注4 ）
dv / dt的
4.5
V / ns的
的TO-220 / TO-263
156
功耗
TO-220F/TO-220F1
P
D
50
W
TO-220F2
52
结温
T
J
+150
°C
工作温度
T
OPR
-55 ~ +150
°C
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
°C
注：1。绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
2.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温
3. L = 14.2mH ，我
AS
= 10A ，V
DD
= 50V ，R
G
= 25
Ω
起始物为
J
= 25°C
4. I
SD
≤
9.5A ， di / dt的
≤200A/μs,
V
DD
ΔBV
DSS
，起始物为
J
= 25°C
热数据
参数
结到环境
TO-220
TO-220F/TO-220F1
结到外壳
TO-220F2
TO-263
符号
θ
JA
θ
JC
等级
62.5
0.8
2.5
2.4
0.7
单位
° C / W
° C / W
电气特性
( T
C
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
开关特性
漏源击穿电压
漏极 - 源极漏电流
符号
BV
DSS
I
DSS
测试条件
最小典型最大单位
600
V
1
µA
100 nA的
-100 nA的
V /°C的
4.0
0.8
V
Ω
V
GS
= 0V时，我
D
= 250μA
V
DS
= 600V, V
GS
= 0V
前锋
V
GS
= 30 V, V
DS
= 0 V
栅极 - 源极漏电流
I
GSS
反向
V
GS
= -30 V, V
DS
= 0 V
击穿电压温度系数
ΔBV
DSS
/ΔT
J
I
D
= 250μA ，引用至25℃
基本特征
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
静态漏源导通电阻
R
DS （ ON）
V
GS
= 10V ，我
D
= 4.75A
动态特性
输入电容
C
国际空间站
V
DS
=25V, V
GS
=0V,
输出电容
C
OSS
F = 1.0 MHz的
反向传输电容
C
RSS
栅极电阻
R
G
V
DS
=0V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
0.7
2.0
0.72
1570 2040 pF的
166 215 pF的
18
24
pF
0.25
1.4
Ω
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
2第8
QW-R502-119.J
UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]
