UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
10N60
10A ， 600V N沟道
功率MOSFET
1
功率MOSFET
TO-220
描述
该
UTC 10N60
是高电压和高电流的功率MOSFET，
设计成具有更好的特性，如快速切换时间，低
栅极电荷，低通态电阻，并具有高耐用雪崩
的特点。这个功率MOSFET通常用在高速
开关电源中的应用， PWM马达控制，高
高效率的DC -DC转换器和电桥电路。
1
TO-220F
特点
* R
DS （ ON）
= 0.8Ω@V
GS
=10V
*低栅极电荷（典型值44nC ）
*低C
RSS
（典型18 pF的）
*快速切换
* 100 ％的雪崩测试
*改进dv / dt能力
1
TO-220F1
1
TO-220F2
符号
2.Drain
1
TO-263
1.Gate
3.Source
订购信息
订购数量
包
无铅
无卤
10N60L-TA3-T
10N60G-TA3-T
TO-220
10N60L-TF1-T
10N60G-TF1-T
TO-220F1
10N60L-TF2-T
10N60G-TF2-T
TO-220F2
10N60L-TF3-T
10N60G-TF3-T
TO-220F
10N60L-TQ2-R
10N60G-TQ2-R
TO-263
10N60L-TQ2-T
10N60G-TQ2-T
TO-263
注：引脚分配： G：门
D：漏
S：源
引脚分配
1
2
3
G
D
S
G
D
S
G
D
S
G
D
S
G
D
S
G
D
S
填料
管
管
管
管
带盘
管
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1 7
QW-R502-119.J
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