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型号: 10N30
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内容描述: 10A , 300V N沟道功率MOSFET [10A, 300V N-CHANNEL POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 152 K
品牌: UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]
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10N30
初步
功率MOSFET
电气特性(续)
参数
符号
测试条件
切换参数
总栅极电荷
Q
G
V
GS
=10V, V
DS
= 120V ,我
D
=10A
门源费
Q
GS
(注1,2)
栅漏电荷
Q
GD
导通延迟时间
t
D(上)
上升时间
t
R
V
DD
=30V, V
GS
= 10V ,我
D
=1A,
R
G
= 25Ω (注1,2)
打开-O FF延迟时间
t
D(关闭)
下降时间
t
F
源 - 漏二极管额定值和特性
最大体二极管连续电流
I
S
最大体二极管脉冲电流
I
SM
漏源二极管的正向电压
V
SD
I
S
= 10A ,V
GS
=0V
注:1.脉冲测试:脉冲宽度
300μS ,占空比
2%
2.基本上是独立工作温度
最小典型最大单位
28
4
15
14
89
81
81
35
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
A
A
V
40
190
170
170
10
40
1.4
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
www.unisonic.com.tw
3 4
QW-R502-738.a