10N30 参数 Datasheet PDF下载

型号：	10N30
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内容描述：	10A ， 300V N沟道功率MOSFET [10A, 300V N-CHANNEL POWER MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	4 页 / 152 K
品牌：	UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]

UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。， LTD。

10N30

初步

功率MOSFET

10A ， 300V N沟道

功率MOSFET

描述

在UTC

10N30

是用一个N沟道型功率MOSFET的

UTC的先进技术，为客户提供平面条形

和DMOS技术。这项技术专门允许

最低通态电阻和出色的开关性能。它

还可以在雪崩承受高能量脉冲和

换流模式。

在UTC

10N30

在电子镇流器中普遍应用

基于半桥拓扑结构和高效率的开关模式

电源。

TO-220

特点

*高开关速度

* R

DS （ ON）

=0.65Ω @ V

=10V

* 100 ％的雪崩测试

符号

2.Drain

1.Gate

3.Source

订购信息

订购数量

无铅

无卤

10N30L-TA3-T

10N30G-TA3-T

注：引脚分配： G：门D：漏极

S：源

包

TO-220

引脚分配

填料

管

www.unisonic.com.tw

1 4

QW-R502-738.a

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