4N60G-TA3-T 参数 Datasheet PDF下载

型号：	4N60G-TA3-T
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内容描述：	4A ， 600V N沟道功率MOSFET [4A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	8 页 / 371 K
品牌：	UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]

4N60

TYPICAL CHARACTERISTICS

Power MOSFET

Drain-Source Breakdown Voltage,

DSS

(Normalized) (V)

On-State Characteristics

10V

5.5V

5 V Bottorm:5.0V

Top:

Drain-Source On-Resistance,

DS(ON)

(Normalized) (Ω)

Transfer Characteristics

25°С

5.0V

150°С

0.1

Notes:

1. 250µs Pulse Test

2. T

=25

°С

0.1

Notes:

1. V

=50V

2. 250µs Pulse Test

0.1

Drain-to-Source Voltage, V

(V)

Gate-Source Voltage, V

(V)

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

www.unisonic.com.tw

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QW-R502-061,Q

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