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4N60G-TA3-T 参数 Datasheet PDF下载

4N60G-TA3-T图片预览
型号: 4N60G-TA3-T
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内容描述: 4A , 600V N沟道功率MOSFET [4A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 371 K
品牌: UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]
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4N60
TEST CIRCUITS AND WAVEFORMS
+
V
DS
-
+
-
L
Power MOSFET
D.U.T.
R
G
Driver
V
GS
Same Type
as D.U.T.
* dv/dt controlled by R
G
* I
SD
controlled by pulse period
* D.U.T.-Device Under Test
V
DD
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
V
GS
(Driver)
Period
P.W.
D=
P. W.
Period
V
GS
= 10V
I
FM
, Body Diode Forward Current
I
SD
(D.U.T.)
I
RM
Body Diode Reverse Current
di/dt
Body Diode Recovery dv/dt
V
DS
(D.U.T.)
V
DD
Body Diode
Forward Voltage Drop
Peak Diode Recovery dv/dt Waveforms
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
www.unisonic.com.tw
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QW-R502-061,Q