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EC2612 参数 Datasheet PDF下载

EC2612图片预览
型号: EC2612
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内容描述: 40GHz的超低噪声PHEMT [40GHz Super Low Noise PHEMT]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 114 K
品牌: UMS [ UNITED MONOLITHIC SEMICONDUCTORS ]
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EC2612
符号
IDSS
参数
饱和漏极电流
40GHz的超低噪声PHEMT
TEST
条件
VDS = 2V
VGS = 0V
VDS = 2V
IDS = 0.1毫安
VDS = 2V
IDS = 25毫安
Vgsd = -2V
10
典型值
35
最大
60
单位
mA
Vp
夹断电压
-1.0
-0.7
-0.3
V
Gm
50
70
mS
政府互动服务指南
栅极至源极/漏极泄漏
当前
5
µA
动态特性
Tamb=25°C
符号
参数
TEST
条件
F = 12GHz的
NF
最小噪声科幻gure
Vds=2V
Ids=Idss/3
Ga
相关的增益
F = 30GHz的
F = 40GHz的
F = 12GHz的
F = 30GHz的
F = 40GHz的
13
9
8
典型值。
0.5
1.3
1.5
14
10
9.5
dB
最大
0.7
1.7
1.9
dB
dB
单位
dB
绝对最大额定值
(1)
TAMB = + 25°C
符号
VDS
VGS
Pt
总胆固醇
TSTG
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
总功耗
工作通道温度
存储温度范围
3.5
-2.5
280
+175
-55到+175
单位
V
V
mW
°C
°C
( 1)操作此设备的上面这些参数中的任何一个可能会造成永久性的损害
参考文献。 : DSEC26120077 -17 - 马克-00
2/8
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
路线Départementale 128 , BP46 - 91401 Cedex的ORSAY - 法国
电话: +33 ( 0 ) 1 69 33 03 08 - 传真: +33 ( 0 ) 1 69 33 03 09