EC2612
40GHz的超低噪声PHEMT
假晶高电子迁移率晶体管
描述
的EC2612是基于一个0.15μm的栅
假晶高电子迁移率
晶体管（ PHEMT 0.15微米）技术。
栅极宽度为120微米和0.15微米
T形铝栅具有低
性和优良的可靠性。
该装置显示了非常高的
跨导这导致非常高的
频率和低噪声性能。
它是通过源芯片形式提供
孔connection.Only栅极和漏极线
边界是必需的。
¦
芯片尺寸： 0.63 X 0.37 X 0.1毫米
主要特点
¦
0.8分贝最小噪声系数@ 18GHz的
¦
1.5分贝最小噪声系数@ 40GHz的
¦
12分贝相关增益@ 18GHz的
¦
9.5分贝相关增益@ 40GHz的
D：漏
G：门
S：源
主要特点
TAMB = + 25°C
符号
IDSS
NFmin
Ga
参数
饱和漏极电流
最小噪声系数（ F = 40GHz的）
相关增益（ F = 40GHz的）
8
民
10
典型值
40
1.5
9.5
最大
60
1.9
单位
mA
dB
dB
ESD保护：静电放电敏感器件观察处理注意事项！
电气特性
TAMB = + 25°C
参考文献。 ： DSEC26120077 -17 - 马克-00
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