17-24 GHz的下变频器
器件的热性能
CHR3663-QEG
所有在本节中给出的数字是假设高QFN器件冷却
下来才通过封装的热传导垫片（无对流模式
考虑） 。
将温度在封装背面侧接口（温度上限），如下所示进行监测。
在系统的最高温度必须以保证温度上限来调整
保持低于比下表中规定的最大值。因此，系统的PCB
设计必须符合这一要求。
降容必须在耗散功率应用如温度上限温度不能
以下保持超过规定的最高温度（见曲线PDISS最大）的
命令来保证标称设备寿命时间（ MTTF） 。
设备散热规范： CHR3663 - QEG
提交您最大。结温（Tj最大）
:
143 °C
结温绝对最大额定值
:
175 °C
马克斯。连续耗散功率@温度上限=
85 °C :
1,71 W
(1)
85 °C :
29毫瓦/°C的
= > PDISS降额以上的温度上限=
(2 )
结 - 壳热阻（ Rth的J- C）
:
<34 ° C / W
(3)
分钟。包装背面的操作温度
:
-40 °C
(3)
马克斯。包装背面的操作温度
:
85 °C
分钟。储存温度
:
-55 °C
马克斯。储存温度
:
125 °C
（ 1 ）降额在结温恒定= Tj最高
（2） Rth的JC被计算为最坏情况下
热结
在MMIC中被考虑。
（ 3 ）温度上限=包背在芯片附着垫测量端温度（见下图） 。
1,8
1,6
1,4
PDISS 。马克斯。 （W）的
1,2
1
0,8
0,6
0,4
PDISS 。马克斯。 （W）的
0,2
0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
温度上限（ ¢
C)
TCASE
的QFN 16L 3x3的例子
背面图，温度
基准点（温度上限）的位置。
5.6
参考文献。 ： DSCHR3663 - QEG8317 - 08年11月12日
3/16
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