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CHR3663-QEG 参数 Datasheet PDF下载

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型号: CHR3663-QEG
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内容描述: 17-24GHz集成下变频器GaAs单片微波集成电路的封装SMD [17-24GHz Integrated Down Converter GaAs Monolithic Microwave IC in SMD package]
分类和应用: 微波
文件页数/大小: 16 页 / 448 K
品牌: UMS [ UNITED MONOLITHIC SEMICONDUCTORS ]
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CHR3663-QEG
电气特性
TAMB = + 25 ° VD = VDL = 4.5V
C,
符号
F
RF
F
LO
F
IF
G
c
∆G
NF
Im_rej
P
LO
IIP3
2LO/RF
VD , VDL
Id
VGL
GC2 , GC3
VGM
参数
RF频率范围
LO频率范围
IF频率范围
17-24 GHz的下变频器
17
7
DC
典型值
最大
24.0
14.0
3.5
单位
GHz的
GHz的
GHz的
dB
dB
dB
dBc的
DBM
DBM
DBM
V
mA
V
转换增益@分钟。衰减(1)
增益控制范围
噪声系数@分钟。衰减
镜像抑制( 1 )
LO输入功率
输入IP3 @所有增益范围(△G )
2LO泄漏RF端口@最大。收益
DC漏极电压
漏电流
低噪声放大器的直流栅极电压
增益控制直流电压
混频器的直流栅极电压
-2
11
15
3.5
15
0
3
-40
4.5
380
-0.4
+0,6
-0.7
V
V
这些数值代表的车载测量为15页中定义的图纸上
( paragprah “评估主板” ) 。
(1)一个外部合成90 °是必需的I / Q.
注:身份证不受GC2 , GC3 。
绝对最大额定值
(1)
TAMB = + 25 °
C
符号
Vd
Id
VGL
VGM
GC1 , GC2
P_RF
P_LO
总胆固醇
Ta
TSTG
参数
最大漏极偏置电压
最大漏极偏置电流
低噪声放大器的直流栅极电压
混频器的直流栅极电压
增益控制电压
最大峰值输入功率过载
最大的LO输入功率
最大信道温度(1)
工作温度范围
存储温度范围
5
450
-2.0到+0.4
-2.0到+0.4
-2.5〜 + 0.8
10
10
175
-40至+85
-55到+125
单位
V
mA
V
V
V
DBM
DBM
°
C
°
C
°
C
( 1 )本设备上面这些paramaters中的任何一个操作可能会造成永久性的损害。
参考文献。 : DSCHR3663 - QEG8317 - 08年11月12日
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