CHA7012
X波段HBT大功率放大器
GaAs单片微波IC
描述
该
CHA7012
芯片是单片两
现阶段砷化镓高功率放大器设计
对于X波段的应用。
此装置被使用的GaInP制
HBT工艺，经由通孔，包括
在基片和空气桥。氮化物层
保护晶体管和无源
组件。
特别
热
切除
技术实现，以保证
高可靠性。
为了简化装配过程：
芯片-The背面是RF和
直流接地
-bond垫和背面都镀金
与晶兼容芯片粘接
法
和
热超声
or
热压粘合处理。
噘嘴& PAE @ 3dBc ，线性增益
TI维生素C
TO
VCTRL
偏置
电路
VC VC
TTL
电路
IN
OUT
TTL
电路
偏置
电路
TI维生素C
TO
VCTRL维生素C
Vc
44
PAE @ 3dBc （ ％ ）
40
36
32
28
主要特点
频段： 9.2 -10.4GHz
输出功率（ P3dB ） ： 38.5dBm
高线性增益： > 20分贝
高PAE ： > 38 ％
两个偏置模式：
-VDigital控制由于TTL接口
-VAnalog控制由于偏置
电路
芯片尺寸
:
5.00 X 3.68 X 0.1毫米
噘
（DBM
@
3dBc
线性增益（引脚=为0dBm ）
24
20
1
6
9
9.2
9.4
9.6
9.8
1
0
1
0.2
1
0.4
1
0.6
主要特点
噘嘴& PAE @ 3dBc和线性增益（温度25 ° C）
频率（G Z）
H
VC = 7.5V ， IC （静态） = 1.9A ，脉冲宽度= 100μS ，占空比= 20 ％
符号
参数
民
典型值
FOP
PSAT
P_3dBc
G
顶部
最大
10.4
单位
GHz的
W
W
dB
°
C
工作频率范围
饱和输出功率@ 25 °
C
输出功率@ 3dBc @ 25 °
C
小信号增益@ 25 °
C
工作温度范围
9.2
9
7
20
-40
+80
ESD保护：静电放电敏感器件。观察处理注意事项！
参考文献。 ： DSCHA70127235 - 07年8月23日
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