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CHA7012 参数 Datasheet PDF下载

CHA7012图片预览
型号: CHA7012
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内容描述: X波段HBT大功率放大器 [X-band HBT High Power Amplifier]
分类和应用: 放大器功率放大器
文件页数/大小: 10 页 / 567 K
品牌: UMS [ UNITED MONOLITHIC SEMICONDUCTORS ]
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X波段高功率放大器
结合建议
CHA7012
对热和电方面的考虑,芯片应该钎焊在金属底板上。
在RF , DC和调制端口间的连接应根据以下进行
表:
PORT
IN
(1)
OUT
(12)
DC垫1
st
脱钩
双合水平
DC垫1
st
脱钩
单级键合
1
st
去耦水平2
nd
去耦级双
st
1去耦级2
nd
去耦级单
连接
电感( Lbonding ) = 0.3nH
400米长度为25米线径
电感( Lbonding ) = 0.3nH
400米长度为25米线径
电感( Lbonding ) = 0.7nH
两个1.2毫米长的电线,直径为25米
电感( Lbonding ) = 1nH的
一个1.2毫米长的电线,直径为25米
电感( Lbonding ) = 0.7nH
两个1.2毫米长的电线,直径为25米
电感( Lbonding ) = 1nH的
一个1.2毫米长的电线,直径为25米
在测试夹具大会提出建议
(使用TTL电路)
TI
Vc
*
*
TI
100pF
IN
OUT
非电容垫
10nF
1 F
TI
*
Vc
100 F
*
*与连接到相同的电源相同的访问获得的性能
注:供应饲料应电容旁路。 25微米直径的金线将被优先。
参考文献。 : DSCHA70127235 - 07年8月23日
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特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
路线Départementale 128 , BP46 - 91401 Cedex的ORSAY - 法国
电话: +33 ( 0 ) 1 69 33 03 08 - 传真: +33 ( 0 ) 1 69 33 03 09