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CHA6664-QDG 参数 Datasheet PDF下载

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型号: CHA6664-QDG
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内容描述: 12-16GHz 1W大功率功放 [12-16GHz 1W High Power Amplifier]
分类和应用:
文件页数/大小: 10 页 / 325 K
品牌: UMS [ UNITED MONOLITHIC SEMICONDUCTORS ]
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CHA6664-QDG
电气特性
12-16GHz高功率放大器
TAMB = + 25 ° Vd1的= = Vd2的Vd3的= + 8V , ID(静态) = 600毫安, CW偏置模式
C,
这些值代表板载测量作为在图纸96372定义
符号
FOP
G_lin
∆G
G_lin_T
IS11I
IS22I
P1dB
P_sat
PAE_sat
Id
Id_1dBc
Id_sat
VD 1,2,3
VG 1,2,3
参数
工作频率范围
线性增益
增益平坦度( 12 - 为16 GHz )
线性增益变化与温度的关系
输入回波损耗( 12 - 为16 GHz )
输出回波损耗
在1分贝增益压缩输出功率
饱和输出功率
功率增加Effciency饱和
供电的静态电流(1)
电源@ 1分贝增益压缩
电源饱和
正漏极偏压电压
负栅极偏置电压
12
典型值
28
±2
±0.06
2.0:1
2.0:1
30
31.5
25
600
750
800
8
-0.8
最大
16
单位
GHz的
dB
dB
分贝/ Ω
C
DBM
DBM
%
mA
mA
mA
V
V
(1)这个参数是固定的栅电压Vg
(2 )基准是包的背面
绝对最大额定值
(1)
TAMB = + 25 °
C
符号
Vd
Tj
参数
漏偏置电压
RF输入功率
结温( 2 )
工作温度范围
存储温度范围
9
14
175
单位
V
DBM
°
C
顶部
TSTG
-40至+85
-55到+125
°
C
°
C
( 1 )本设备上面这些paramaters中的任何一个操作可能会造成永久性的损害。
( 2 )等效热阻通道地面桨= 15.7 °
C / W的Tground桨。 = + 85 °
C
有8V , 600毫安
编号: DSCHA6664QDG6332 - 06年11月28日
2/10
/规格如有变更,恕不另行通知
路线Départementale 128 , BP46 - 91401 Cedex的ORSAY - 法国
电话: +33 ( 0 ) 1 69 33 03 08 - 传真: +33 ( 0 ) 1 69 33 03 09