CHA6664-QDG
符合RoHS
12-16GHz 1W大功率功放
GaAs单片微波集成电路的SMD无铅封装
描述
该CHA6664 - QDG是一个三阶段的Ku波段
高功率放大器。
该电路与一个标准的制
功率P - HEMT工艺： 0.25微米栅长，
通过穿过基板孔，空气桥和
电子束光刻门。
它是在符合欧盟ROHS标准SMD封装。
主要特点
35
分贝（S21） ，分贝（S11） ，分贝（S22），对频率（ GHz）的
S21 ，S11， S22 （ dB）的
■
0.25微米功率pHEMT技术
■
12-16 GHz频率范围内
■
31.5 dBm的饱和输出功率
■
高增益： 28分贝
■
静态偏置点： 8V ， 600毫安
■
24L - QFN4x4 SMD封装
30
25
20
15
10
5
0
-5
-10
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-35
-40
6
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8
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21
22
23
24
频率（GHz ）
dB(S21)
dB(S11)
dB(S22)
典型的板尺寸
主要特点
TAMB = + 25 ° Vd1的= = Vd2的Vd3的= + 8V ， ID（静态） = 600毫安， CW偏置模式
C,
符号
F_op
P_sat
G_lin
参数
工作频率范围
饱和输出功率
线性增益
民
12
31.5
28
典型值
最大
16
单位
GHz的
DBM
dB
ESD保护：静电放电敏感器件观察处理注意事项！
参考文献。 ： DSCHA6664QDG6332 - 06年11月28日
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