CHA5390TBF
24-30GHz中功率放大器
RF端口包括在码片级的DC阻塞电容器。直流连接
包括直流去耦电容（一般120pF ）在包的第一级。
然而，所有的DC偏置端口应该还连接到地面的10nF
在板级电容，以防止MMIC的振荡。这些部件应
被放置在靠近SMD无铅封装。如果相同的偏压时需要
不同的DC端口，线路，仅可连接后面这些块的电容器。
上的SMD无铅封装应用的砷化镓的更多信息
单片微波集成电路中给出了UMS应用笔记AN0005 。
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SMD无铅封装形式：
CHA5390TBF/24
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参考文献。 ： DSCHA5390TBF2249 -06 -九月-02
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