CHA3666
片上偏置选项
6-17GHz低噪声放大器
该芯片是自偏置和灵活性被访问的焊盘数目提供。该
内部直流电气示意图，给出以一种安全的方式使用这些垫。
Vd1
1.5K
40
3.1K
Vd2
0.3K
0.3K
2.5
RFIN
90
90
20
20
8
RFOUT
P1
两个标准偏置：
低噪音，低功耗：
P2
N2
VD1 = Vd2的= 4V和P1 ， N2接地。
P2垫无连接（ NC） 。
IDD = 80毫安&噘， 1分贝= 17dBm的典型。
VD1 = Vd2的= 4V和P1，P2接地。
N2垫无连接（ NC） 。
IDD = 85毫安&噘， 1分贝= 17.5dBm由可得到的典型。
低噪声和高输出功率
订购信息
芯片形式：
CHA3666-99F/00
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联合单片半导体
S.A.S.
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联合单片半导体S.A.S ..
特定网络阳离子
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美国单片
半导体S.A.S.
参考文献。 ： DSCHA36666159 - 06年6月8日
8/8
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