CHA3666
电气特性
温度= + 25 ° C，垫：
P 1， N 2 = GND （1）
符号
FOP
G
∆G
NF
IS11I
IS22I
IP3
P1dB
Vd
Id
参数
工作频率范围
增益（2）
增益平坦度
噪声图（2）
输入回波损耗（ 2 ）
输出中的回波损耗（2）
三阶截取点（ 2 ）
6-17GHz低噪声放大器
民
6
19
典型值
21
±0.5
1.8
2.5:1
2.0:1
26
最大
17
单位
GHz的
dB
dB
2
2.7:1
2.2:1
dB
dB
dB
DBM
DBM
V
输出功率在1分贝增益补偿。 （2）（ 3）
漏偏置电压
漏极偏置电流
15
75
17
4
80
86
mA
（1）其它焊盘不连接
(2)
这些值代表了在片制成，没有粘合的测量
电线在RF端口。
(3)
的P1dB可以增加（ + 0.5dBm ）; P1 & P2被连接和N2的非连接时。在
这种情况下， Id为各地85毫安
绝对最大额定值
(1)
温度= + 25°C
符号
Vd
针
顶部
Tj
参数
漏偏置电压
RF输入功率
工作温度范围（芯片背面）
结温
存储温度范围
值
4.5
10
-40至+85
175
单位
V
DBM
°C
°C
TSTG
-55到+125
°C
（ 1 ）本设备上面这些paramaters中的任何一个操作可能会造成永久性的损害。
参考文献。 ： DSCHA36666159 - 06年6月8日
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