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型号: CHA2093RBF
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内容描述: 20-30GHz低噪声放大器 [20-30GHz Low Noise Amplifier]
分类和应用: 放大器
文件页数/大小: 8 页 / 188 K
品牌: UMS [ UNITED MONOLITHIC SEMICONDUCTORS ]
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CHA2093RBF
应用说明
20-30GHz低噪声放大器
主板的设计拥有所有性能上有很大的影响
因为从主板到封装的过渡是同等大。在
案件联合单片半导体中的表面贴装型封装
主板应根据以下给出的信息来设计
要取得良好的业绩。其它配置也是可能的,但可能会导致
不同的结果。如果您需要提醒,请联系美半导体单片
了解更多信息。
UMS的SMD型封装应该允许设计微型和MM-和制造
波模块的成本低。因此,一个合适的主板环境一直
选择。所有的测试和验证对罗杰斯RO4003已经完成。这
材料显示出3.38的电容,并已用于具有厚度为200μm的
[ 8密耳]和一个1 / 2盎司或更少的铜包层。对应的50欧姆
传输线具有约460μm [约条带的宽度。 18密耳。
主板为包连接上的接触区域应
根据上面给出的足迹而设计的。通过在结构中的适当的
接地垫是非常重要的,以便实现良好的射频和寿命
性能。所有的测试已经完成通过大量的通孔电镀网格
用直径小于200微米[8密耳]和小于400微米的间隔[16
密耳]从两个相邻的通孔的中心。在通过电网应涵盖整个
下接地垫空间和最接近于所述RF端口的通孔应设
该垫的边缘附近,以允许良好的RF接地连接。由于通孔是
用于热传递很重要,通过填充适当的应在保证
装配程序来获得包和散热片之间的低热阻。
对于功率器件通过电网在主板,而不是使用热蛞蝓是
推荐使用。
对于安装过程中的贴片型封装能够被处理为标准
表面安装元件。使用任一焊料或导电环氧树脂是可能的。
回流后的焊料厚度应为50μm的典型[2密耳]和横向
封装和母板之间的对准,应在50微米[2-
密耳。读者应注意,以获得在整个一个很好的和可靠的接触
键盘区域。空隙或其它不当的连接,特别是地面之间
母板和封装的焊盘将导致的射频性能的劣化
和散热。后者的效果可大幅降低可靠性和寿命
的产物。
参考文献。 : DSCHA2093RBF2057 -26 -二月- 02-
6/8
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