CHA2093RBF
20-30GHz低噪声放大器
GaAs单片微波集成电路的SMD无铅封装
描述
单片微波集成电路( MMIC)中的
包是一个两阶段的宽频带
单片低噪声放大器。
该电路与一个标准的制
PHEMT工艺: 0.25微米栅长,通过
穿过衬底,空气桥孔
和电子束光刻门。
它是在一个新的SMD无引线芯片供给
载体。
主要特点
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宽带绩效: 20-30GHz
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增益= 14分贝(典型值)
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噪声系数3.0分贝(典型值)
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回波损耗< -7dB
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低DC功耗< 50毫安
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SMD无铅封装
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尺寸: 5.08 X 5.08 X 0.97毫米
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SMD封装尺寸
"Please注意, PIN 1位于包(正面视图)的左下角从美国半导体单片全贴片式封装。它被表示
通过在包盖的三角形。与PIN 1其他片开始逆时针(前视图)的编号。注意:对在背面的点
包(即侧的金属片)只是为了制造目的,不表明PIN 1."的位置
参考文献。 : DSCHA2093RBF2057 -26 -二月- 02-
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