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FDV305N 参数 Datasheet PDF下载

FDV305N图片预览
型号: FDV305N
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内容描述: [SOT-23]
分类和应用: 晶体晶体管开关光电二极管
文件页数/大小: 2 页 / 283 K
品牌: TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
 浏览型号FDV305N的Datasheet PDF文件第1页  
SMD型
产品speci fi cation
FDV305N
电气特性
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
∆T
J
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体泄漏,正向
门体泄漏,反向
测试条件
V
GS
= 0 V,
I
D
= 250
µA
20
典型值
最大单位
V
开关特性
I
D
= 250
μA ,引用
至25℃
V
DS
= 16 V,
V
GS
= 12 V,
V
GS
= –12 V,
V
GS
= 0 V
V
DS
= 0 V
V
DS
= 0 V
15
1
100
–100
毫伏/°C的
µA
nA
nA
基本特征
V
GS ( TH)
∆V
GS ( TH)
∆T
J
R
DS ( ON)
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏源
导通电阻
通态漏电流
正向跨导
V
DS
= V
GS
,
I
D
= 250
µA
I
D
= 250
μA ,引用
至25℃
V
GS
= 4.5 V,
I
D
= 0.9 A
V
GS
= 2.5 V,
I
D
= 0.7 A
V
GS
= 4.5V ,我
D
= 0.9 A,T
J
= 125°C
V
GS
= 4.5V,
V
DS
= 5 V
V
DS
= 5V,
I
D
= 0.9 A
0.6
1
–3
164
235
220
1
3
220
300
303
1.5
V
毫伏/°C的
mΩ
I
D(上)
g
FS
A
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
DS
= 10 V,
F = 1.0 MHz的
V
GS
= 0 V,
109
30
14
pF
pF
pF
开关特性
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
= 10 V,
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 0.9 A,
V
DD
= 10 V,
V
GS
= 4.5 V,
I
D
= 1 A,
R
= 6
4.5
7
8
1.4
1.1
0.26
0.26
9
14
16
2.8
1.5
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
V
SD
t
rr
Q
rr
注意事项:
1.
脉冲测试:脉冲宽度
300
µs,
占空比
2.0%
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管正向
电压
二极管的反向恢复时间
二极管的反向恢复电荷
V
GS
= 0 V,
I
F
= 0.9 A,
d
iF
/d
t
= 100 A / μs的
I
S
= 0.29 A
0.75
7.4
2.2
0.29
1.2
A
V
nS
nC
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
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