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FDV305N 参数 Datasheet PDF下载

FDV305N图片预览
型号: FDV305N
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内容描述: [SOT-23]
分类和应用: 晶体晶体管开关光电二极管
文件页数/大小: 2 页 / 283 K
品牌: TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
 浏览型号FDV305N的Datasheet PDF文件第2页  
SMD型
产品speci fi cation
FDV305N
20V N沟道的PowerTrench
MOSFET
概述
该20V N沟道MOSFET采用飞兆半导体的高
电压的PowerTrench工艺。它已被优化为
电源管理应用。
特点
0.9 A, 20 V
R
DS ( ON)
= 220毫欧@ V
GS
= 4.5 V
R
DS ( ON)
= 300毫欧@ V
GS
= 2.5 V
低栅电荷
开关速度快
高性能沟道技术极
低R
DS ( ON)
应用
负荷开关
电池保护
电源管理
D
D
S
SOT-23
G
G
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
T
J
, T
英镑
漏源电压
栅源电压
漏电流
- 连续
- 脉冲
最大功率耗散
T
A
=25
o
C除非另有说明
参数
评级
20
±
12
0.9
2
0.35
-55到+150
单位
V
V
A
W
°C
工作和存储结温范围
热特性
R
θJA
热阻,结到环境
357
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
305
设备
FDV305N
带尺寸
7’’
胶带宽度
8mm
QUANTITY
3000台
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
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