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| 型号： | 2SC3649 |
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| 内容描述： | 采用FBET的， MBIT流程击穿电压高，电流容量大 [Adoption of FBET, MBIT Processes High Breakdown Voltage and Large Current Capacity] |
| 分类和应用： | |
| 文件页数/大小： | 3 页 / 566 K |
| 品牌： |  TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ] |
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