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2SC3649 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2SC3649
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内容描述: 采用FBET的, MBIT流程击穿电压高,电流容量大 [Adoption of FBET, MBIT Processes High Breakdown Voltage and Large Current Capacity]
分类和应用:
文件页数/大小: 3 页 / 566 K
品牌: TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
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SMD型
产品speci fi cation
2SC3649
特点
采用FBET的, MBIT流程
高击穿电压和电流容量大
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流(脉冲)
集电极耗散功率
Jumction温度
存储温度范围
*安装在陶瓷板上( 250毫米
2
X 0.8mm)的
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
P
C *
T
j
T
英镑
等级
180
160
6
1.5
2.5
500
1.5
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
mW
W
电气特性TA = 25
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
增益带宽积
集电极输出电容
开启时间
贮存时间
下降时间
符号
I
CBO
I
EBO
Testconditons
V
CB
= 120V ,我
E
= 0
V
EB
= 4V ,我
C
= 0
180
160
6
100
80
0.13
0.85
120
14
40
见测试电路。
1.2
80
0.45
1.2
V
V
兆赫
pF
ns
us
ns
400
典型值
最大
1
1
单位
uA
uA
V
V
V
V
( BR ) CBO
I
C
=为10uA ,我
E
= 0
V
( BR ) CEO
I
C
= 1毫安,R
BE
=
V
( BR ) EBO
I
E
=为10uA ,我
C
= 0
h
FE
V
CE
= 5V ,我
C
= 100毫安
V
CE
= 5V ,我
C
= 10毫安
V
CE ( SAT )
I
C
= 500毫安,我
B
= 50毫安
V
BE ( SAT )
I
C
= 500毫安,我
B
= 50毫安
f
T
C
ob
t
on
t
英镑
t
f
V
CE
= 10V ,我
C
= 50毫安
V
CB
= 10V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
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sales@twtysemi.com
4008-318-123
1第3