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PD21120R6 参数 Datasheet PDF下载

PD21120R6图片预览
型号: PD21120R6
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内容描述: 120瓦, 2110年至2170年兆赫PD21120R6 PUSH / PULL横向MOSFET [120 Watts, 2110-2170 MHz PD21120R6 PUSH/PULL LATERAL MOSFET]
分类和应用: 光电二极管
文件页数/大小: 6 页 / 463 K
品牌: TRIQUINT [ TRIQUINT SEMICONDUCTOR ]
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PD21120R6
测试电路
(续)
测试电路原理图2170兆赫
DUT
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PTF 102003
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LDMOS晶体管
微带29.20
ı
微带50
ı
微带20.10
ı
微带15.50
ı
微带13.10
ı
微带6.80
ı
微带5.50
ı
微带13.10
ı
微带53.60
ı
微带10.40
ı
微带53.60
ı
微带20.10
ı
微带50
ı
C1, C5, C8, C13
C2,
C3,
C7,
C9,
C6
C4
C12
C14
电容10 μF , 35 V ,坦TE系列
SMD ,向Digi-Key PCS6106TR
电容6.8 pF的, 100A 6R8
电容1.6 pF的, ATC 600B 1R6 BW
电容5.6 pF的, 100B 5R6
电容, 0.1 μF , 50 V ,
Digi-Key询问PCC103BCT
电容3.3 pF的, ATC 600B 3R3 BW
连接器, SMA女,面板安装
电阻器, 3.3千欧姆, 1 / 16W 5 % 0603
Digi-Key询问P3.3K GCT
电阻器, 1千欧姆, 1 / 16W 5 % 0603
Digi-Key询问P1.0K GCT
4003 0.020" , 1盎司铜两侧
1层。联信
C10, C11
J1, J2
R1, R4
R2, R3
PCB
装配图(不按比例)
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720-406-1221