PD21120R6 参数 Datasheet PDF下载

型号：	PD21120R6
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内容描述：	120瓦， 2110年至2170年兆赫PD21120R6 PUSH / PULL横向MOSFET [120 Watts, 2110-2170 MHz PD21120R6 PUSH/PULL LATERAL MOSFET]
分类和应用：	光电二极管
文件页数/大小：	6 页 / 463 K
品牌：	TRIQUINT [ TRIQUINT SEMICONDUCTOR ]

PD21120R6

典型性能

（续）

IMD与输出电网效率

-20

-30

= 28 V

= 1.2 A

效率

IM3

140

POW ER增益与输出电网

IMD dBc的

-40

-50

-60

-70

100

功率增益（ dB）的

100

1000

= 1.2 A

= 1.0 A

= 28 V

= 1.6 A

= 1.4 A

IM5

IM7

120

输出电网（瓦-PEP ）

输出电网（瓦CW）

栅源电压与外壳温度

1.03

1.02

电压标准化为1.0 V

系列节目电流（ A）

卡帕citance与增刊Ÿ电压（每边） *

180

160

= 0 V

F = 1 MHz的

偏置电压（ V）

CDS &的Cgs （PF ）×

1.01

1.00

0.99

0.98

0.97

0.96

0.95

-20

0.80

3.07

5.33

7.60

9.87

12.13

130

140

120

100

外壳温度（ ° C）

电源电压（伏特S）

*这部分内部匹配。在鳍的测量

ished产品将不会得到这些结果。

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720-406-1221

CDG （PF ）

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