AGR21180EF
180 W， 2.110 GHz的- 2.170 GHz的， N沟道电子模式，横向MOSFET
典型性能特性
A
RD
U
CT
S
拖车
0.0
Ð
＆ GT ;
W
A
V
EL
E
N
GTH
170
0.49
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
3.0
4.0
5.0
10
20
0.0
A
D
＆ LT ; d
A
RD
L
O
S
拖车
±
180
GTH
-170
L
EN
E
0.2
20
0.49
0.1
-90
0.4
0.48
)
/
Yo
（ -JB
CE
0.6
7
0.4
V
WA
＆ LT ; d
-160
-85
N
TA
EP
SC
1.
V
TI
UC
0.4
0.3
-75
-70
0
-65
.5
0.6
-60
1.6
0.7
1.4
0.8
1.2
5
-5
0.9
1.0
0
-5
5
-4
（优化调整为28的Vds ， 2× 800毫安我
DQ
, P
OUT
= 2 W- CDMA 38 W平均操作）。
兆赫（ F）
2110 (f1)
2140 (f2)
2170 (f3)
Z
L
Ω
Z
S
Ω
（复
信号源阻抗） （复杂最佳负载阻抗）
4.02 – j7.92
3.92 – j6.59
3.98 – j7.73
3.79 – j6.32
3.80 – j7.63
3.67 – j6.12
Z
S
=从门到门，均衡配置测量测试电路的阻抗。
Z
L
从测得的漏漏=测试电路的阻抗，均衡配置。
2A
1A
+
–
Z
S
+
–
3 DUT
2B
1B
引脚：
1A 。排水
1B 。排水
2A 。门
2B 。门
3.源
Z
L
图3.等效串联阻抗平衡输入和输出阻抗
F
0.
32
0.
1.8
18
0
-5
-25
0.
0.3
0.1
3
0
2.
Z
S
06
0.
44
7
-30
-60
0.3
0.1
4
6
-3
5
-70
0.35
0.15
0.36
0.14
-80
-4
0
0.37
0.13
0.4
0.2
-90
0.12
0.38
0.11
-100
0.39
CA
P
A
0.1
0.4
-110
CI
T
香港专业教育学院
RE
A
0.0
CT
A
NC
E
C
OM
0.4
9
1
-12
0
0.0
8
PO
N
0.4
2
EN
T
(-j
4
-1
4
0.
f3
f1
X/
0.4
0
-20
3.
O
),
Zo
5
5
0.0
0
0.6
R
f3
f1
4
0.0
0
-15
6
IN
D
-15
4.0
0.8
Z
L
U
E
S
-80
5.0
0.2
0
-10
0.
8
50
电阻元件（ R /莫宁） ，或电导成分（G /呦）
50
10
1.
0
0.6
0.4
Z
0
= 10
Ω
0.48
IN
D
90
0.
8
0.25
0.26
0.24
0.27
0.23
0.25
0.24
0.26
0.23
0.27
REFL
ECTI
ON
COEFFI
CI
EN
T
I
N
D
EG
REES
L
E
OF
昂
I
SSI
ON
COEFFI
CI
EN
T
I
N
茶
N
SM
10
0.1
-1
L
E
OF
昂
20
0.2
0.2
0.3
-4
0
50
D
EGR
EES
-20
0.2
2
0.2
8
0.2
9
0.2
1
-30
0.
31
0.
19
0.
07
30
0.
43
TRIQUINT [ TRIQUINT SEMICONDUCTOR ]
