AGR21180EF
180 W， 2.110 GHz的- 2.170 GHz的， N沟道电子模式，横向MOSFET
电气特性
推荐工作条件适用，除非另有规定：T已
C
= 30 °C.
表4.直流特性
参数
开关特性
300
漏源击穿电压（V
GS
= 0, I
D
=
400
µA)
门源漏电流（V
GS
= 5 V, V
DS
= 0 V)
零栅极电压漏极漏电流（V
DS
= 28 V, V
GS
= 0 V)
基本特征
正向跨导（V
DS
= 10 V，I
D
= 1 A)
栅极阈值电压（V
DS
= 10 V，I
D
= 600 µA)
门静态电压（V
DS
= 28 V，I
D
= 2× 800毫安）
漏源电压（V
GS
= 10 V，I
D
= 1 A)
表5. RF特性
参数
动态特性
反向传输电容
(V
DS
= 28 V, V
GS
= 0中，f = 1.0 MHz）的
（这部分内部匹配的输入和输出）。
共源放大器功率增益*
C
RSS
—
4.0
—
pF
符号
民
典型值
最大
单位
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
G
FS
—
2.8
3.0
—
12
3.4
3.7
0.08
—
4.0
4.6
—
S
VDC
VDC
VDC
V
（ BR ） DSS
I
GSS
I
DSS
65
—
—
—
—
—
—
6
200
18
VDC
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试（在
提供的测试治具）
杰尔系统提供的测试治具）
漏极效率*
G
PS
η
IM3
ACPR
IRL
23
—
13
26
14
—
–33
–36
–10
—
—
dB
dBc的
dBc的
dB
W
%
三阶互调失真*
（测量IM3失真超过3.84 MHz带宽@ F1 - 10 MHz的
和f2 + 10兆赫）
相邻通道功率比*
（ACPR测量的3.84 MHz的@ F1在BW - 5兆赫
和f2 + 5兆赫）
–36
–39
–13
—
—
功率输出， 1 dB压缩点，脉冲4微秒10 ％占空比。
(V
DD
= 28 V，F
C
= 2140.0兆赫）
输入回波损耗*
P
1dB
ψ
160
200
输出失配应力
(V
DD
= 28 V ，P
OUT
= 180 W（脉冲4微秒10 ％占空比）
I
DQ
= 2× 800毫安，女
C
= 2140.0兆赫的VSWR = 10 ：1; [所有相位角] ）
在产量不降低
力。
* 3GPP W-CDMA中，典型的P / 8.5分贝0.01％的CCDF A比例中，f1 = 2135.0兆赫，和f2 = 2145兆赫。
V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 2 * 800毫安，而P
OUT
= 38 W平均。
额定工作电压28伏直流电。合格为32 VDC的最大工作电压为±0.5 V.
TRIQUINT [ TRIQUINT SEMICONDUCTOR ]
