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    AGR09130EU 参数 Datasheet PDF下载

    AGR09130EU图片预览
    型号： AGR09130EU
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 130 W， 921兆赫， 960兆赫， N沟道电子模式，横向MOSFET [130 W, 921 MHz-960 MHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET]
    分类和应用： 晶体晶体管电子放大器
    文件页数/大小： 10 页 / 441 K
    品牌： TRIQUINT [ TRIQUINT SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号AGR09130EU的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AGR09130EU的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AGR09130EU的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AGR09130EU的Datasheet PDF文件第5页浏览型号AGR09130EU的Datasheet PDF文件第6页浏览型号AGR09130EU的Datasheet PDF文件第8页浏览型号AGR09130EU的Datasheet PDF文件第9页浏览型号AGR09130EU的Datasheet PDF文件第10页  
    EVM （ ％ ）z
    复制草案只
    AGR09130E
    130 W， 921兆赫， 960兆赫， N沟道电子模式，横向MOSFET
    典型性能特性
    （续）
    0
    调制频谱（ DBC） ž
    -10
    -20
    -30
    -40
    -50
    -60
    -70
    -80
    -90
    35
    37
    39
    41
    43
    +/- 600千赫
    45
    47
    49
    +/- 400千赫
    功率输出（P
    OUT
    ） （DBM ）z
    频率为940兆赫，V
    DD
    = 26 V
    DC
    , I
    DQ
    = 1.0 A，T
    F
    = 30 ° C， EDGE FORMAT = 3GPP GSM 05.05 。
    图8. EDGE调制频谱与功率输出
    6
    5
    4
    3
    2
    1
    0
    35.00
    960兆赫
    940兆赫
    920兆赫
    37.00
    39.00
    41.00
    43.00
    45.00
    47.00
    49.00
    功率输出（P
    OUT
    ） （DBM ）z
    V
    DD
    = 26 V
    DC
    , I
    DQ
    = 1.0 A，T
    F
    = 30 ° C， EDGE FORMAT = 3GPP GSM 05.05
    图9. EVM对电源输出

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