AGR09130EU 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AGR09130EU
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内容描述：	130 W， 921兆赫， 960兆赫， N沟道电子模式，横向MOSFET [130 W, 921 MHz-960 MHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET]
分类和应用：	晶体晶体管电子放大器
文件页数/大小：	10 页 / 441 K
品牌：	TRIQUINT [ TRIQUINT SEMICONDUCTOR ]

功率增益（P

）（分贝）z

17.5

16.5

15.5

14.5

920

925

930

935

940

945

950

955

@ P

OUT

= 130 W

-4

-6

-8

-10

-12

-14

-16

-18

-20

960

频率（MHz ）z

= 26 V，I

= 1.0 A，T

= 30 °C.

图5.功率增益和回波损耗与频率的关系

输入回波损耗（R

）（分贝）z

复制草案只

AGR09130E

130 W， 921兆赫， 960兆赫， N沟道电子模式，横向MOSFET

典型性能特性

（续）

200

180

功率输出（P

OUT

）（W ）z

940兆赫

960兆赫

OUT

920兆赫

200

180

漏极效率（ EFF ）（％）z

160

140

120

100

0.00

0.50

160

140

120

100

960兆赫

920兆赫

940兆赫

4.00

1.00

1.50

2.00

2.50

3.00

3.50

输入功率（P

）（W ）z

= 26 V，I

= 1.0 A，T

= 30 ° C， FORMAT = CW 。

图4. P

OUT

和漏极效率与P

18.5

@ P

OUT

= 50 W

-2

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