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型号: AGR09085EF
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内容描述: 85 W, 865兆赫, 895兆赫, N沟道电子模式,横向MOSFET [85 W, 865 MHz-895 MHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管电子放大器局域网
文件页数/大小: 8 页 / 330 K
品牌: TRIQUINT [ TRIQUINT SEMICONDUCTOR ]
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AGR09085E
85 W, 865兆赫, 895兆赫, N沟道电子模式,横向MOSFET
典型性能特性
(续)
0
-10
-20
ACPR ( DBC)
S
-30
ACP +
-40
-50
-60
-70
0.00
ALT1+
ALT-
5.00
10.00
15.00
20.00
25.00
30.00
35.00
ACP-
P
OUT
(W )S
测试条件:
V
DD
= 28伏直流,我
DQ
= 0.8 A,T
C
= 30 °C.
频率为880 MHz的; IS- 95 CDMA导频,寻呼,同步,交通码8到13 ; OFFSET 1 = 750 kHz的;
偏移2 = 1.98 MHz的; OFFSET 1和2 BW = 30 kHz的。
图4. ACPR与P
OUT
19
18
0
功率增益( dB)的
a
17
16
15
14
13
12
11
10
860
功率增益
P
OUT
= 100 W
P
OUT
= 10 W
-4
-6
-8
回波损耗
-10
-12
-14
-16
865
870
875
880
885
890
895
-18
900
频率(MHz )一个
测试条件:
V
DD
= 28伏直流,我
DQ
= 0.8 A,T
C
= 30 ° C,波形= CW 。
图5.功率增益和回波损耗与频率的关系
输入回波损耗(dB )
-2