AGR09085E
85 W， 865兆赫， 895兆赫， N沟道电子模式，横向MOSFET
电气特性
推荐工作条件适用，除非另有规定：T已
C
= 30 °C.
表4.直流特性
参数
开关特性
200
漏源击穿电压（V
GS
= 0, I
D
=
300
µA)
门源漏电流（V
GS
= 5 V, V
DS
= 0 V)
零栅极电压漏极漏电流（V
DS
= 28 V, V
GS
= 0 V)
基本特征
正向跨导（V
DS
= 10 V，I
D
= 1 A)
栅极阈值电压（V
DS
= 10 V，I
D
= 400 µA)
门静态电压（V
DS
= 28 V，I
DQ
= 800 mA）的
漏源电压（V
GS
= 10 V，I
D
= 1 A)
表5. RF特性
参数
动态特性
输出电容
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0中，f = 1 MHz）的
反向传输电容
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0中，f = 1 MHz）的
C
OSS
C
RSS
—
—
48
2.3
—
—
pF
pF
符号
民
典型值
最大
单位
G
FS
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
—
—
—
—
6
—
3.6
0.12
—
4.8
—
—
S
VDC
VDC
VDC
符号
V
（ BR ） DSS
I
GSS
I
DSS
民
65
—
—
典型值
—
—
—
最大
—
2.6
100
8
单位
VDC
μAdc
μAdc
功能测试
（在提供的测试治具）
杰尔系统提供的测试治具）
（测试频率（ F） = 865兆赫， 880兆赫， 895兆赫）
线性功率增益
(V
DS
= 28 V ，P
OUT
= 8 W，I
DQ
= 800 mA）的
输出功率
(V
DS
= 28 V ， 1 dB压缩，我
DQ
= 800 mA）的
漏EF网络效率
(V
DS
= 28 V ，P
OUT
= P
1dB
, I
DQ
= 800 mA）的
三阶互调失真
（ 100 kHz间隔，V
DS
= 28 V ，P
OUT
= 90 WPEP ，我
DQ
= 800 mA）的
输入VSWR
耐用性
(V
DS
= 28 V ，P
OUT
= 85 W，I
DQ
= 800 mA时， F = 880 MHz时，
驻波比= 10 ：1，所有的角度）
IM3
VSWR
I
—
G
L
P
1dB
17
85
—
—
—
18
105
55
30
2:1
—
—
—
—
—
dB
W
%
dBc的
—
在产量不降低
力。
TRIQUINT [ TRIQUINT SEMICONDUCTOR ]
