AGR 09180 EF
180 W， 865兆赫， 895兆赫， N沟道电子模式，横向MOSFET
典型性能特性
0.11
0.12
0.38
0.13
0.37
0.14
0.36
0.1
50
45
0.0
9
1
0.4
110
0.39
100
0.9
90
1.0
0.15
0.35
80
0.6
60
0.4
0
12
0.
07
5
65
0.
0.
06
0.
43
0
13
70
0.0
5
0.4
5
75
EN
T
(+
j
X/
Z
,O
o)
R
IT
AC
AP
C
IV
U
ES
N
TA
EP
SC
CE
0.7
2
)
/
Yo
（ + JB
0.2
0.
44
14
0.4
0
0.0
Ð
＆ GT ;
W
A
V
EL
E
N
GTH
S
拖车
A
RD
0.0
0.49
根
L
OA
D
＆ LT ;
Ð
W
A
RD
ERA
O
0.48
7
±
180
HST
TO
GT
170
0
N
RÐ
-17
EL
E
0.4
＆ GT ;
AV
7
W
0.0
160
60
4
-90
90
-1
0.4
85
-85
6
0
CE
CO
M
15
PO
N
0.6
80
0.8
RE
AC
TA
N
0
1.
0.6
0.2
0.3
0.4
0.5
0.7
0.8
1.2
1.4
1.8
0.1
0.9
1.0
电阻元件（ R /莫宁） ，或电导成分（G /呦）
0.2
0.49
0.1
0.4
o)
JB /
Y
E
(-
NC
兆赫（ F）
(f1)
(f2)
(f3)
Z
L
Ω
Z
S
Ω
（复
信号源阻抗） （复杂最佳负载阻抗）
0.7 – j1.46
3.32 + j2.44
0.7 – j1.54
3.34 + j2.36
0.7 – j1.64
3.38 + j2.28
注意：
测量排水地漏和栅栅，分别。
漏（1）
门（2）
Z
S
Z
L
SOURCE （ 3 ）
输入匹配
DUT
输出匹配
图3.系列等效输入和输出阻抗
TA
1.
0
0.2
Z
S
f3
f1
0.48
0.6
0.
8
1.6
2.0
0.6
Z
L
IN
D
f3
0.4
0.
8
Z
0
= 7
Ω
U
CT
香港专业教育学院
f1
0
1.
1.4
0.2
8
0.0
0.8
1.2
55
0.4
40
70
35
0.
4
0.3
0.2
0.1
TRIQUINT [ TRIQUINT SEMICONDUCTOR ]
