AGR09180EF
180 W， 865兆赫， 895兆赫， N沟道电子模式，横向MOSFET
介绍
该AGR09180EF是高电压，金 - 金属化，
横向扩散金属氧化物半导体
（ LDMOS ） RF功率适用于蜂窝晶体管
带，码分多址（CDMA ） ，全球
系统，用于移动通信系统（GSM ），增强型
全球演进技术（EDGE ） ，和时分数据
多址（ TDMA ），单载波与多级
AB无线基站放大器应用。这
设备采用先进的LDMOS制造
技术，提供先进设备，最先进的性能，
可靠性和耐热性。包装在
行业标准的可交付物的钨铜包
荷兰国际集团的180 W上的最小输出功率，它是理想的
适用于当今的射频功率放大器应用。
表1.热特性
参数
热阻，
结到外壳
符号
R
JC
价值
0.35
单位
° C / W
表2.绝对最大额定值*
参数
符号价值单位
漏源电压
V
DSS
65
VDC
栅源电压
V
GS
-0.5 ， + 15VDC
总功耗在T
C
= 25°C P
D
500
W
减免上述25
ˇC
—
2.86 W / ℃，
工作结温
T
J
200
°C
TURE
存储温度范围
T
英镑
–65, +150 °C
*超过绝对最大额定值的应力可能会导致
永久损坏设备。这些都是绝对压力额定
英格斯只。该设备的功能操作不暗示
在过量的这些或任何其他状况，在给定的
该数据表的操作部分。暴露在绝对
长时间最大额定值可能产生不利影响
器件的可靠性。
表3. ESD额定值*
AGR09180EF
HBM
MM
清洁发展机制
最小值（V）的
500
50
1000
类
1B
A
4
图1. AGR09180EF （法兰连接）套餐
特点
典型表现评级是IS- 95 CDMA ，
试点，同步，寻呼，业务代码8-13 ：
- 输出功率（P
OUT
): 38 W.
- 功率增益： 18.25分贝。
- 效率： 27 ％ 。
- 相邻信道功率比（ ACPR ）
30 kHz的带宽（BW） ：
（ 750 kHz偏置： -45 dBc的）
（ 1.98 MHz偏移： -60 dBc的） 。
- 输入回波损耗10分贝。
高可靠性，金metalization过程。
高增益，效率和线性度。
集成的ESD保护。
硅LDMOS 。
工业标准封装。
180W的最小输出功率。
*虽然静电放电（ ESD ）保护电路具有
被设计到这个设备，适当的预防措施必须是
注意避免接触ESD和电气过应力（ EOS ）
在所有的处理，装配和测试操作。
PEAK器件
杰尔
采用人体模型（ HBM ） ，机器模型（ MM ）
并在充电装置模型（CDM）的资格要求
为了确定静电敏感性的限制和保护
设计评估。静电放电电压阈值依赖于
用在每个模型电路参数，由定义
JEDEC的JESD22- A114B （HBM） ， JESD22- A115A （ MM）和
JESD22- C101A （CDM）的标准。
注意： MOS器件容易受到来自elec-损坏
trostatic费。在han-合理的预防措施
危及周围和包装MOS器件应
观察到。
TRIQUINT [ TRIQUINT SEMICONDUCTOR ]
