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    T1G6003028-FS 参数 Datasheet PDF下载

    T1G6003028-FS图片预览
    型号： T1G6003028-FS
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 30W ， 28V ，特区的???? 6 GHz的氮化镓射频功率晶体管 [30W, 28V, DC – 6 GHz, GaN RF Power Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管射频
    文件页数/大小： 13 页 / 1305 K
    品牌： TRIQUINT [ TRIQUINT SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号T1G6003028-FS的Datasheet PDF文件第5页浏览型号T1G6003028-FS的Datasheet PDF文件第6页浏览型号T1G6003028-FS的Datasheet PDF文件第7页浏览型号T1G6003028-FS的Datasheet PDF文件第8页浏览型号T1G6003028-FS的Datasheet PDF文件第9页浏览型号T1G6003028-FS的Datasheet PDF文件第10页浏览型号T1G6003028-FS的Datasheet PDF文件第12页浏览型号T1G6003028-FS的Datasheet PDF文件第13页  
    T1G6003028-FS  
    30W, 28V, DC – 6 GHz, GaN RF Power Transistor  
    Mechanical Information  
    Package Information and Dimensions  
    All dimensions are in millimeters.  
    This package is lead-free/RoHS-compliant. The plating material on the leads is NiAu. It is compatible with both  
    lead-free (maximum 260 °C reflow temperature) and tin-lead (maximum 245 °C reflow temperature) soldering  
    processes.  
    Data Sheet: Rev B 09/12/2012  
    - 11 of 13 -  
    Disclaimer: Subject to change without notice  
    Connecting the Digital World to the Global Network®  
    © 2012 TriQuint Semiconductor, Inc.  

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