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    T1G6001528-Q3 参数 Datasheet PDF下载

    T1G6001528-Q3图片预览
    型号： T1G6001528-Q3
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 特区的???? 6 GHz的18瓦的GaN RF功率晶体管 [DC – 6 GHz 18 W GaN RF Power Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 15 页 / 487 K
    品牌： TRIQUINT [ TRIQUINT SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号T1G6001528-Q3的Datasheet PDF文件第2页浏览型号T1G6001528-Q3的Datasheet PDF文件第3页浏览型号T1G6001528-Q3的Datasheet PDF文件第4页浏览型号T1G6001528-Q3的Datasheet PDF文件第5页浏览型号T1G6001528-Q3的Datasheet PDF文件第7页浏览型号T1G6001528-Q3的Datasheet PDF文件第8页浏览型号T1G6001528-Q3的Datasheet PDF文件第9页浏览型号T1G6001528-Q3的Datasheet PDF文件第10页  
    T1G6001528-Q3
    DC – 6 GHz 18 W GaN RF Power Transistor
    Typical Performance
    S-Parameter Smith Chart
    S-Parameters
    V
    DS
    = 28V, I
    DQ
    = 50mA
    j10
    j5
    6000MHz
    j20
    j2
    S22
    100MHz
    j50
    0
    2
    5
    10
    20
    50
    ∞
    -j2
    S11
    -j50
    -j5
    -j10
    -j20
    Small Signal Gain
    Maximum Stable Gain of T1G6001528 Q3
    35
    30
    V
    DS
    =28V,I
    DQ
    =50mA
    MSG [dB]
    25
    20
    15
    10
    0
    1000
    2000
    3000
    4000
    Freq. [MHz]
    5000
    6000
    Preliminary Data Sheet: Rev - A 06/14/2011
    © 2011 TriQuint Semiconductor, Inc.
    -
    6 of 15-
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