QPD1025S2 参数 Datasheet PDF下载

型号：	QPD1025S2
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内容描述：	[1500 W, 65 V, 1.0 â 1.1 GHz, GaN RF Input-Matched Transistor]
分类和应用：
文件页数/大小：	18 页 / 1435 K
品牌：	TRIQUINT [ TRIQUINT SEMICONDUCTOR ]

QPD1025

1500 W, 65 V, 1.0 – 1.1 GHz, GaN RF Input-Matched Transistor

1.0 – 1.1 GHz Application Circuit - Schematic

Bias-up Procedure

1. Set V_Gto -5 V.

Bias-down Procedure

1. Turn off RF signal.

2. Set I_Dcurrent limit to 4 A.

3. Apply 65 V V_D.

4. Slowly adjust V_Guntil I_Dis set to 1.5 A.

5. Apply RF.

2. Turn off V_D

3. Wait 2 seconds to allow drain capacitor to discharge.

4. Turn off V_G

Datasheet Rev. B │ Subject to change without notice

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