欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

AGR21180EF 参数 Datasheet PDF下载

AGR21180EF图片预览
型号: AGR21180EF
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 180 W, 2.110 GHz的- 2.170 GHz的, N沟道电子模式,横向MOSFET [180 W, 2.110 GHz-2.170 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管电子放大器局域网
文件页数/大小: 10 页 / 358 K
品牌: TRIQUINT [ TRIQUINT SEMICONDUCTOR ]
 浏览型号AGR21180EF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AGR21180EF的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AGR21180EF的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AGR21180EF的Datasheet PDF文件第5页浏览型号AGR21180EF的Datasheet PDF文件第7页浏览型号AGR21180EF的Datasheet PDF文件第8页浏览型号AGR21180EF的Datasheet PDF文件第9页浏览型号AGR21180EF的Datasheet PDF文件第10页  
AGR21180EF
180 W, 2.110 GHz—2.170 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET
Typical Performance Characteristics
(continued)
15
14
13
12
11
10
9
G
PS
60
50
40
30
20
G
PS
(dB)
10
0
1000
1
10
P
OUT
(W)
100
Test Conditions:
28 V
DS
, I
DQ
= 1600 mA, 2140 MHz.
Figure 6. Power Gain and Drain Efficiency vs. Output Power (CW signal data)
0
-10
IM3, IM5, AND IM7 (dBc)Z
-20
-30
-40
-50
-60
-70
-80
-90
-100
1
10
P
OUT
(W, PEP)
Test Conditions:
28 V
DS
, I
DQ
= 1600 mA.
F1 = 2135 MHz and F2 = 2145 MHz.
50
45
40
35
IM3
IM5
25
20
15
IM7
30
10
5
100
0
1000
Figure 7. IM3, IM5, and IM7 vs. Output Power (2 CW signal data)
(%)
(%)